Min Lu 陆敏
GM/Board Chair of Changzhou Perfert Crystal Semiconductor Co., Ltd
常州臻晶半导体有限公司，总经理/董事长

讲师简介 / Speaker Bio

陆敏博士，常州臻晶半导体有限公司董事长，《化合物半导体》主编，曾任中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟秘书长，建立了我国第一个第三代半导体法人社团组织及第一个碳化硅团体标委会，创立了亚太碳化硅及相关材料国际品牌会议（APCSCRM）,分别在2018年及2019年成功举办2届，推动了我国碳化硅学术与产业届的国际交流及在国际行业舞台的话语权。现为国标委半导体材料分技术标委会委员，SEMI中国化合物半导体标准技术委员会核心委员，建立了继北美及欧洲碳化硅国际工作组后，中国首个碳化硅衬底国际工作组，开启了我国碳化硅衬底国际标准化工作，为此获得Semi中国2021年度特别贡献奖殊荣，起草并发布Semi国际标准2项，国家标准5项，团体标准12项，在研Semi国际标准3项，国家标准3项，团体标准4项。曾在北京大学宽禁带半导体研究中心、中科院苏州纳米所、国网全球能源互联网研究院有限公司和北京天科合达半导体股份有限公司工作多年，长期从事SiC、GaN等第三代半导体材料的生长、器件研制；工艺线和项目管理工作，对第三代半导体材料的生长、器件制备技术及半导体技术标准化有丰富的经验。近年来承担或参与了十几项国家发改委、工信部、科技部重点研究计划、863、973和国家自然科学基金等碳化硅半导体领域科技及产业化项目，实现了年产3万片6英寸高质量碳化硅衬底产业化；突破了液相法6英寸碳化硅长晶关键技术，实现了大尺寸碳化硅单晶可控生长。在国内外学术期刊上共发表论文40余篇，主编国际核心期刊碳化硅特刊2期，申请国内发明专利20项，授权9项。近年来独立培养硕士生 5 人 ，联合培养硕士生 6 人，培养产业化人才数十人。

摘要 / Abstract

碳化硅车规应用已逐渐成为电动汽车的标配，但市场需求的快速增长远远超过了碳化硅衬底的供应，同时传统PVT技术的低生长效率及低良率又让碳化硅衬底价格居高不下，这些就是碳化硅行业的基本特征及痛点所在。针对碳化硅长晶三大技术特点，给出成本分析及发展趋势评估。本报告聚焦液相法颠覆性技术赛道，概论国内外发展现状，呈现主要关键科学问题，及其产业化时间节点预测及其对碳化硅行业带来的巨大利好。